据韩国媒体报道，全球领先的半导体设备制造商泛林集团（Lam Research）正在研发的新型选择性刻蚀设备，因其在技术上的突破性潜力，被业界广泛视为三星电子开发下一代存储器的关键工具。随着半导体工艺节点不断微缩，传统刻蚀技术面临的挑战日益严峻，特别是在3D NAND闪存和DRAM等先进存储器制造中，对刻蚀精度、选择性和三维结构控制的要求达到了前所未有的高度。
选择性刻蚀技术能够在复杂的三维堆叠结构中，精确地去除特定材料，同时最大限度地保护其他敏感层和结构。这对于构建更高层数、更小尺寸单元的3D NAND闪存至关重要。三星作为存储器市场的领导者，其下一代产品（如预期中的300层以上3D NAND）需要更精密的制造工艺来控制电荷陷阱层、隧穿氧化层和沟道等关键结构。泛林集团在该领域的进展，可能为三星提供克服当前技术瓶颈、实现更高存储密度和更低功耗的解决方案。
在DRAM领域，随着工艺向10纳米以下演进，电容器和晶体管的结构也日趋复杂。选择性刻蚀技术有助于形成更精细、更均匀的深宽比结构，这对于维持DRAM单元的电荷存储能力和稳定性至关重要。三星在下一代DRAM（如DDR6、LPDDR6及新兴的CXL存储器）的开发中，对能够实现原子级精度和优异均匀性的刻蚀工艺需求迫切。
选择性刻蚀技术对于整合新材料（如铁电材料、相变材料等）也具有重要意义，这些材料可能是未来存储器的变革性元素。泛林集团的设备若能在选择性和工艺控制上实现突破，将极大地加速新材料从研发到量产的进程。
韩媒分析指出，三星与泛林集团在半导体设备领域长期保持着紧密的合作关系。此次技术开发若取得成功，不仅将巩固三星在尖端存储器市场的技术领先地位，还可能重塑全球半导体设备市场的竞争格局。目前，该技术的具体细节和商业化时间表尚未完全公开，但其潜在的行业影响力已引发高度关注。业界正密切关注泛林集团的研发进展以及三星可能的早期技术验证与导入计划。
